제
1 장 투명 도전막 개요 페이지
1.1 투명
도전 막의 현상과 향후 동향 1
1.2 투명
도전 막 재료 및 성막 용도 1
1.2.1 투명 전도체 요구 사항
1
1.2.2 재료 및 성막 방법 2
(1) 투명 도전막 재료 2
(2) 투명 도전 막의 성막 방법
3
A. 물리적 방법 (PVD) 3
B. 화학적 방법 7
C. ITO 타겟 9
(3) 대표적인 투명 도전 막의
특징 9
1.2.3 투명 도전 막의 용도와
요구 10
1.2.4 투명 도전 막의 주요 평가
방법 11
(1) 광선 투과율 측정 11
(2) 전기적 특성 측정 12
1.3 ITO
대체 투명 도전 재료 13
1.4 In
수요 동향 및 자원 고갈 문제
15
1.4.1 In의 수요 동향 15
(1) 세계 In 수급 동향 15
(2) 일본의 In 수급 상황 16
(3) In 가격 동향 19
1.4.2 In 자원 고갈 문제 19
1.5 투명
도전막 재료에 관계하는 국가
프로젝트 21
1.5.1 희소 금속 (In) 대체 재료
개발 프로젝트 21
1.5.2 차세대 대형 유기 EL 디스플레이
기반 기술 개발 프로젝트 23
1.5.3 매우 플렉서블 디스플레이
부재 기술 개발 프로젝트 24
제
2 장 In2O3 계 투명 도전 막의
제막 기술 동향 26
2.1 ITO
투명 도전막 26
2.1.1 ITO 투명 도전 막의 과제와
해결 접근 26
(1) 높은 가시 광선 투과성과
낮은 저항 화의 양립 27
(2) 표면 다듬기 27
(3) 노 줄 억제 28
(4) ITO 막 패터닝 28
2.1.2 ITO 타겟 개발 28
(1) 사용 효율성을 향상시킬 수있는
원통형 ITO 타겟 개발 (도소)
29
(2) 아킨구과 노 모듈의 발생을
억제할 수 ITO 타겟 30
(3) 낮은 저항하고 비정질 안정성이
뛰어난 막이 얻는 스퍼터링 타겟
(三井金??業)
31
(4) 높은 강도를 갖고 정신없는
대상 (아루밧쿠마테리아루) 32
2.1.3 스퍼터링 법 ITO 막의 저온
저저항 화 기술 33
(1) 저저항 ITO 박막의 제작 예
33
(2) 저전압 마구네토론스팟타
법 (ULVAC) 34
(3) RF - DC 결합 형식 스퍼터링
법 / 보드 바이아스스팟타 방법을
조합 저온에서 ITO 막의
결정화하는 방법
(니이가타대
학 대학원 / 東京工芸大?) 36
(4) 열전자 여기 뿌라즈마스팟타
의한 저저항 ITO 막 형성 (九州共立大?)
41
(5) 가스후로스팟타 법 (GFS)의
낮은 에네루기이온아시스토의
저온에 결정화한
저저항 ITO 막의 제작 (宇都宮大?)
45
A.dc 바이아스스팟타 47
B.rf 바이아스스팟타 48
2.1.4 PLD 방법 ITO 막 50
(1) PLD 법에 의한 플라스틱 보드에
저저항 ITO 막 형성 (효고 현립
공업 기술 센터) 50
(2) PLD 방식을 이용한 50 % 절약
In 가능한 ITO / AZO 적층 도전막
(오사카 산업 대학 / 오쿠다 기술
사무소) 51
2.2 IZO
비정질 투명 도전막 (Idemitsu
Kosan) 53
2.2.1 IZO 막 대상 재산 53
2.2.2 IZO 막과 ITO 막의 물성
비교 54
2.2.3 IZO 막의 식각 특성 56
2.3 용액
도포 법에 의한 ITO 계 투명 도전막
57
2.3.1 ITO 나노입자를 이용한
용액 도포 법에 의한 투명 도전
막의 형성 57
(1) 액상 레자아부레죤 법에 의한
ITO 나노 입자의 미세화 (산업
기술 종합 연구소) 57
(2) 소루보사마루 젤 - 솔 법에
의한 높은 결정성 ITO 단분산
나노입자의 한층 대량 합성 기술
(동북 대학 다원 물질 과학 연구소
/ DOWA 전자) 59
(3) ITO 나노입자 (스미토모 금속
광산) 61
(4) 침상 ITO 나노 입자의 합성
(住友大阪セメント) 62
(5) ITO 나노 입자 페이스트의
스크린 인쇄 법에 의해 제작한
투명 도전 막의 전기적 특성
(오쿠노 제약 공업 / Fairy 제작소
/ 오사카 시립 공업 연구소) 64
(6) 독립 분산 ITO 나노입자 잉크
(ITO 나노메타루인쿠) 개발 (ULVAC)
68
(7) 스핀 코팅 법에 의한 ITO
투명 도전 막의 제작 (秋田工業高等?門?校)
70
(8) SnCl2를 이용한 분무 열분해
법에 의한 ITO 투명 도전 막의
형성 (미야자키 대학) 72
(9) 스프레이 CVD 법에 의한 ITO
성막 기술 개발 (東京工芸大?)
73
2.3.2 In2O3 입자 74
(1) In2O3 입자 코팅의 합성 (山形大?)
74
(2) 폴리이 미드 수지 정상에
다이레쿠토메타라이제숀 법에
의한 In2O3 투명 도전 막의 형성
(甲南大?)
75
제
3 장 ITO 대체 투명 도전막 개발
동향 80
3.1 산화
아연 계 투명 도전막 80
3.1.1 산화 아연 (ZnO)의 현황과
과제 80
(1) ZnO 계 도전 막의 특징 80
(2) ZnO 투명 도전 막의 제막
법 82
(3) LCD 용 ZnO 투명 도전 막의
과제 83
(4) ZnO 투명 도전 막의 용도
84
3.1.2 dc - MS 스퍼터링 법 ZnO
계 투명 도전 막의 낮은 비저항
화 비저항 분포의 개선 85
(1) 산화 억제 형 고주파 중첩
직류 MS 법 AZO 투명 도전 막
(金?工業大?) 85
A. 비저항 분포의 개선 85
B. AZO : V 투명 도전 막의 화학적
안정성 개선 87
(2) 셋째 전극이있는 고주파 마구네토론스팟타
법에 의한 Al Doped ZnO 막의
수소 플라즈마
단련의 저저항화
(나가오카 기술 / 長岡工業高等?門?校)
88
(3) 강도 자기장 스퍼터링에 의한
비저항의 위치 의존성이 작은
GZO 투명 도전 막의 제작 (나고야
대학) 92
(4) DC 스퍼터링 법에 의한 ZAO
박막 성막 조건을 최적화하고
대상의 개량에 의한 Low Resistivity
화 (도소) 93
3.1.3 ZnO 계 스퍼터링 타겟의
개발 동향 96
(1) 이상 방전을 억제하는 ZnO
계 스퍼터링 타겟 96
(2) 낮은 비저항을 얻을 수 ZnO
계 스퍼터링 타겟 98
(3) 내열 내습성 내약 품성 좋은
박막 (200nm)을 얻을 수있는 산화
아연 계스퍼터링
타겟 100
(4) 내약 품성 낮은 저항을 얻을
수있는 산화 아연 계열 대상 100
3.1.4 반응성 플라스마 증착법에
의한 GZO 박막 102
(1) 반응성 플라스마 증착법 (RPD)
102
(2) GZO 박막의 특성 103
3.1.5 RF 마구네토론스팟타 법과
RPD 법에 의한 산화 아연 계 투명
도전 막전기 전도도에
미치는 불순물 원소,
제막 조건의 영향 (산업 종합
연구소) 107
(1) RF 마구네토론스팟타
법에 의한 투명 도전 막의 제작
108
(2) 반응성 플라스마 증착법에
의한 투명 도전 막의 제작 108
(3) 측면에서 결정 격자의 응력과
전기적 특성과의 관계 108
3.1.6 펄스 레이저 증착 (PLD)
법 109
(1) ZnO 계 투명 도전 막의 성막
온도의 저온화에 109
A. GZO 계 투명 도전 막 상온
성막 (오사카 산업 대학 / 오쿠다
기술 사무소) 110
B. ZnO 버퍼 층 아파트 시쿠로오레휜뽀리마
기판에 성막했다 AZO 투명
도전막
(오사카
산업 대학 / 오쿠다 기술 사무소)
112
(2) AZO 초박막 (오사카 산업
대학 / 오쿠다 기술 사무소) 114
3.1.7 플라즈마 지원 저온 공정에
의한 플라스틱 시트 上高 품질
산화 아연 투명 도전 막 성막 기술
(야마나시 / 中家 제작소 / 塚原
제작소 등) 116
(1) 성막 원리 116
(2) 필름 특성에 영향을 미치는
과정 요소 117
(3) Zn 공급량 의존성 117
(4) Ga 첨가 효과 118
(5) 투명 도전 막의 저온 성막
118
3.1.8 미스트 CVD 법에 따르면
ZnO 계 투명 도전막 120
3.2 SnO2
계 투명 도전막 128
3.2.1 성막 법과 용도 128
3.2.2 분무 열분해 (SPD) 법에
의한 ITO 대체 불소 도프 산화
주석 (FTO) 기판 (후지쿠라) 129
(1) 장치 129
(2) 저저항 FTO 129
(3) 높은 헤이즈 FTO 막 130
(4) 고온 선 반영 FTO 131
3.3 이산화
티타늄 계 투명 도전 막의 개발
133
3.3.1 이산화 티타늄 계 투명
도전 막의 현상과 과제 133
(1) TiO2의 결정 구조와 물성
133
(2) 높은 전도성 TNO 다결정 박막을
얻는 방법 134
(3) 이산화 티타늄 투명 도전
막의 향후 과제와 응용 전개 135
A. 저저항 모음 136
B. 성막 방법 136
C. 저온 공정 개발 137
D. 새로운 용도 개발 137
3.3.2 높은 전도성 TiO2 계 투명
도전 막의 개발 138
(1) 금속 타겟을 이용한 반응성
스퍼터링 법에 의한 TNO 다결정
박막 (가나가와
과학 기술 아카데미 / 도쿄) 138
(2) 산화물 타겟을 이용한 2 단계
스퍼터링 법에 의한 다결정 TNO
박막의 제작
(가나가와
과학 기술 아카데미 / 도쿄) 141
A.2 단계 스퍼터링 성막 142
B. TNO 박막 및 일반 스퍼터링
ITO 박막의 전기적 특성 비교
144
(3) 폴리이 미드 필름 위에 TiO2
계 투명 도전 막의 형성 (도호쿠)
145
3.4 새로운
무기계 투명 도전막 개발 148
3.4.1 Mg - C 계 투명 도전 막의
개발 (토카이) 148
3.4.2 12CaO * 7Al2O3 계 명 전도성
산화물 (C12A7) (동경
공업 대학) 151
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